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高溫高壓光學浮區爐
產品簡介:

高溫高壓光學浮區爐
能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔可Z大壓力可達300Bar,甚以及10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等

產品型號:

更新時間:2025-06-11

廠商性質:生產廠家

訪問量:2042

服務熱線

400 0889 890

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產品介紹

高溫高壓光學浮區爐

高溫高壓光學浮區爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔可zui大壓力可達300Bar,甚以及10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等。

豎直雙鏡設計,采用高照度短弧氙燈
       熔區溫度:zui高>3000℃
       熔區壓力:10-5 mbar 至 300 bar
       多路獨立氣體流量和氣壓控制

       豐富的可升級選件

耐高溫、耐高壓、高真空、高透光率、    由德國弗勞恩霍夫應用光學和精密工程研究所優化設計的高反射 拆裝簡便、帶樣品污染保護的石英樣品腔   率鏡面,鏡體位置和角度可由高精度步進馬達控制調節

 

主要技術參數:
  

熔區溫度

zui高2000 - 3000℃以上

熔區壓力

zui大1050100150300 bar可選

熔區真空

1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可選

熔區氣氛

ArO2N2等可選

氣體流量

0.25 – 1 L/min流量可控

氙燈功率

3kW 至 15kW可選

料棒臺尺寸

6.8mm 或 9.8mm可選

拉伸速率

0.1-200 mm/h

調節速率

0.6 mm/s

拉伸尺寸

zui大195mm

旋轉速率

0-150 rpm

用電功率

400V三相 63A 50Hz

水冷功率

大于8kW

主機尺寸

302cm*163cm*92cm

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